B-系列功率控制器

B系列功率控制器在工业市场上已立足超过30年且品质可靠。它提供了多样功能和选择（从15至3000安培；可选的电压，电流或功率限幅功能；电压，电流或功率调节；过流停机保护以及NEMA壳体）。

对于不再大量使用的传统产品，斯邦重视其支持和后续服务。当B系列控制器不再用于新的应用时，斯邦仍会提供更换替代品或备用零件。关于新的应用，请参阅我们的650系列，C系列或数字可控硅功率控制器。

斯邦功控电子公司一贯在技术上保持strong强大领先，并专注于持续发展和技术创新，生产值得信赖的功率控制和转换设备。这些技术上的优势使斯邦能轻松改造现有的将被新的要求淘汰或过时的控制功能。斯邦的改造能力并不局限于自身产品的升级，同时可以提供市场上竞争对手的功控系统产品的升级。对于下列任何B系列控制器产品的改造/升级服务请联系斯邦功控电子公司。

B-系列产品

HB系列 – 单相/相位角/2可控硅

相数（频率）：单相（50/60Hz）
电源结构：2可控硅 – 2线
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1000 A AC
控制模式：相位角启动
标配熔断器：1个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
软启动：变压器励磁涌流保护
可选限幅：RMS电流，电压或功率限制
可选调节RMS电流，电压或功率
过流停机保护（可选）
安装：可装于安装板（标准）/NEMA壳体（可选）

KB系列 – 单相/过零/2可控硅

相数（频率）：单相（50/60Hz）
电源结构：2可控硅 – 2线
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1000 A AC
控制模式：同步启动（过零-点火）
标配熔断器：1个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
可选限幅：RMS电流，电压或功率限制
可选调节RMS电流，电压或功率
过流停机保护（可选）
安装：可装于安装板（标准）/NEMA壳体（可选）

FB系列 – 三相/相位角/3柱/6可控硅

相数（频率）：三相（50/60Hz）
电源结构：3柱 – 6可控硅 – 3线
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1300 A AC
控制模式：相位角启动
标配熔断器：3个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
软启动：变压器励磁涌流保护
可选限幅：RMS电流，电压或功率限制
可选调节RMS电流，电压或功率
过流停机保护（可选）
安装：可装于安装板（标准）/NEMA壳体（可选）

LB系列 – 三相/过零/2柱/4可控硅/2熔断器

相数（频率）：三相（50/60Hz）
电源结构：2柱 – 4可控硅 – 3线圈
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1300 A AC
控制模式：同步启动（过零-点火）
标配熔断器：2个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
可选限幅：RMS电流，电压或功率限制
可选调节RMS电流，电压或功率
过流停机保护（可选）
安装：可装于安装板（标准）/NEMA壳体（可选）

KB系列 – 三相/过零/2柱/4可控硅/3熔断器

相数（频率）：三相（50/60Hz）
电源结构：2柱 – 4可控硅 – 3线圈
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1300 A AC
控制模式：同步启动（过零-点火）
标配熔断器：3个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
可选功能：RMS电流限制，RMS电压调节
安装：可装于安装板（标准）/Bezel板型安装（可选）

NB系列 – 三相/过零/3柱/6可控硅/3线

相数（频率）：三相（50/60Hz）
电源结构：3柱 – 6可控硅 – 3线
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1300 A AC
控制模式：同步启动（过零-点火）
标配熔断器：3个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
可选限幅：RMS电流，电压或功率限制
可选调节RMS电流，电压或功率
过流停机保护（可选）
安装：可装于安装板（标准）/NEMA壳体（可选）

JB系列 – 三相/过零/3柱/6可控硅/4线

相数（频率）：三相（50/60Hz）
电源结构：3柱 – 6可控硅 – 4线
电压范围：120 – 575VAC
电流范围：15 – 1300 A AC
控制模式：同步启动（过零-点火）
标配熔断器：3个配套I2T半导体保护熔断器
模拟量给定信号：0-5mA, 2-12mA, 4-20mA, 10-50mA, 0-10VDC, 10K Pot
关断模式：锁定（抑制触发）
瞬态电压保护：RC缓冲&金属氧化压敏电阻器保护（MOV）
可选限幅：RMS电流，电压或功率限制
可选调节RMS电流，电压或功率
过流停机保护（可选）
安装：可装于安装板（标准）/NEMA壳体（可选）

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